20世紀(jì)40~50年代,發(fā)明了半導(dǎo)體器件、晶體二極管和三極管,這些固體電子器件
小而耐用,在小功率低頻電子設(shè)備中開始替代電子管,繼而引發(fā)了微電子技術(shù)革命,使固體
電子器件在絕大多數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域逐漸取代了電真空器件,但這一結(jié)果并不是真空技術(shù)學(xué)科的
終結(jié),相反的是開創(chuàng)了真空技術(shù)學(xué)科發(fā)展的新天地?，F(xiàn)代半導(dǎo)體器件、集成電路、電子薄膜
器件、新型平板顯示器件等的研制和生產(chǎn)不僅離不開真空鍍膜、真空外延等各種真空儀器設(shè)
備,還對真空的質(zhì)量提出了更高的要求,如真空度須達(dá)到超高真空并要求無油污染等;另外,
現(xiàn)代尖端科學(xué),如表面科學(xué)、粒子加速器、等離子體物理和熱核聚變、超純度材料冶煉、宇宙
空間模擬研究等都需要超高真空和極高真空技術(shù),這大大促進(jìn)了真空技術(shù)的發(fā)展,真空技術(shù)
在獲得發(fā)展的同時,它本身也成為了現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)不可或缺的基礎(chǔ)之一。

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